CMSC1653是一款采用場效應(yīng)半導(dǎo)體先進(jìn)溝槽工藝開發(fā)的N溝道型MOSFET產(chǎn)品，其最大特點(diǎn)是具有卓越的優(yōu)值系數(shù)（FOM）。
CMH50N20是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)和設(shè)計，提供優(yōu)秀的RDS（ON），抗沖擊能力強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動等電路中。
CMSA010N04是Cmos自己研發(fā)的柵極多層分割槽工藝制造的一款分離半導(dǎo)體器件。
CMD079N10是采用Cmos半導(dǎo)體成熟工藝開發(fā)的一款綜合性能優(yōu)異的MOSFET,用在電源產(chǎn)品中的同步整流模塊效果十分理想。
CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS(ON)和極低門電荷。
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