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CMD031N03L是采用Cmos自己優(yōu)化的柵極被分割改進(jìn)型溝槽工藝制造的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。

CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。

CMD065N04 Cmos為電源DC-DC模塊開發(fā)的一款物料，得益于Cmos對于半導(dǎo)體先進(jìn)制造工藝的研究和創(chuàng)新，這款物料具有多項優(yōu)秀的參數(shù)，整體性能卓越。

CMD130N85A是Cmos通過不斷優(yōu)化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優(yōu)化溝槽工藝制造而成，典型的特點(diǎn)是，具有更優(yōu)秀的開關(guān)響應(yīng)時效性，極低的RDSON,低FOM和更優(yōu)秀的單元一致性。

在鋰電池保護(hù)中電路中，低功耗尤為重要。CMD1402低的飽和導(dǎo)通內(nèi)阻（RDSON僅為4.1mΩ）實(shí)現(xiàn)了極低的功耗，使其在電路應(yīng)用中，無論是靜態(tài)待機(jī)狀態(tài)還是動態(tài)工作過程均有效降低電池電能損耗。