物料推薦CMF10N80
物料推薦CMF10N80
CMF10N80是一款綜合性能優(yōu)秀的N溝道高壓功率MOSFET，采用Cmos先進(jìn)的平面工藝制造，其核心優(yōu)勢是抗沖擊性高、高頻特性好、一致性高等優(yōu)勢，適用于開關(guān)電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變儲(chǔ)能及工業(yè)電磁閥小信號(hào)類應(yīng)用等場景。
一、封裝形式
下圖是CMF10N80封裝形式和內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。采用四種封裝形式，以擴(kuò)大其應(yīng)用場景。
二、基礎(chǔ)參數(shù)
1. 漏源電壓(VDS)：800V
2. 連續(xù)漏極電流（ID）：10A（需結(jié)合散熱條件）
3. 導(dǎo)通電阻RDS(on)：1Ω（最大值）
4. 柵源閾值電壓VGS(th)：5V（最大值）
三、核心優(yōu)勢
CMF10N80具有以下優(yōu)勢
高頻特性好，通過嚴(yán)苛的封裝工藝控制，柵極電荷Qg和極間電容Cgd、Cgs、Cds控制的很小，很好的實(shí)現(xiàn)了FET高頻動(dòng)態(tài)開關(guān)切換。
高雪崩值，單次雪崩EAS=1500mj,高抗沖擊性使得FET在開、關(guān)瞬態(tài)di/dt或dv/dt突變時(shí)，表現(xiàn)出更好的魯棒性。
散熱優(yōu)，理想的結(jié)溫RθJC=0.52℃/W,為高頻工作場景提供了更高的安全性。
適配性高等優(yōu)勢，多種封裝形式，極大地豐富了客戶的需求場景。
四、CMF10N80 Product Data Sheet
五、應(yīng)用推薦
CMF10N80作為高壓 MOSFET，適用于需要高電壓耐受和中功率開關(guān)的場景，例如：
1. 開關(guān)電源（SMPS）
用于AC-DC電源的 PFC（功率因數(shù)校正）電路或反激/LLC 拓?fù)洹?nbsp;
適配器、LED 驅(qū)動(dòng)電源等中功率設(shè)計(jì)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
適用于中小功率 無刷直流電機(jī)（BLDC） 或 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
需搭配合適的柵極驅(qū)動(dòng)電路以優(yōu)化開關(guān)速度。
3. 逆變器與 UPS
用于離網(wǎng)逆變器或不間斷電源（UPS）的 DC-AC 轉(zhuǎn)換級(jí)。
支持 400V 以上的直流母線電壓。
4. 工業(yè)控制
高電壓繼電器替代、電磁閥控制等場景。
六、應(yīng)用推薦及原理
CMF10N80MOSFET應(yīng)用推薦
示例：高性能開關(guān)電源
電路圖:Picture 1
應(yīng)用為高能效比BOOST升壓模塊帶PFC的開關(guān)電源，因?yàn)镻FC功率因子校正，使輸入電流波形與輸入電壓波形同步即輸入端Vac與Iac波形近似為重合的正弦波，從而優(yōu)化電網(wǎng)側(cè)的能源利用率，提高電源輸出能效比。
1. 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：
輸入電壓：220V AC
輸出電壓：24V/30A
開關(guān)頻率：高頻開關(guān)變壓器初級(jí)側(cè)開關(guān)頻率為150kHz
2. MOSFET 配置：
功率開關(guān)管（ON/OFF control switch）：CMF10N80,
PFC（Power Factor Control）開關(guān)管：同型號(hào)或降低MOSFET參數(shù)（具體視負(fù)載功率大小而定）。
3. 驅(qū)動(dòng)電路：
AC-DC模塊經(jīng)過降壓提供MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
柵極串聯(lián) 10Ω 電阻，抑制振蕩。
4.效率優(yōu)化：
利用低 RDS(on) 特性減少導(dǎo)通損耗。
優(yōu)化PCB布局，降低高電流路徑的走線電阻如增加線寬，盡可能地縮短導(dǎo)線距離。
七、應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)
1. 散熱設(shè)計(jì)
高壓 MOSFET 在開關(guān)過程中可能產(chǎn)生較高損耗，需配備散熱片或強(qiáng)制風(fēng)冷。
封裝選擇（如 TO-263 比 TO-220F 散熱更好）。
2. 柵極驅(qū)動(dòng)
確保驅(qū)動(dòng)電壓VGS≥10V 以充分導(dǎo)通。
添加?xùn)艠O電阻（如 10-100Ω）抑制振鈴和 EMI。
3. 電壓尖峰防護(hù)
在感性負(fù)載（如電機(jī)）中，需增加RC吸收電路 或 TVS二極管保護(hù)MOSFET。
4. 高頻應(yīng)用限制
若用于高頻開關(guān)（如 >100kHz），需選擇更低柵極電荷Qg的 MOSFET。
如需進(jìn)一步優(yōu)化選型或電路設(shè)計(jì)，建議提供具體應(yīng)用場景和參數(shù)需求！
八、應(yīng)用注意事項(xiàng)
避免雪崩擊穿：確保VDS不超過800V。
測試驗(yàn)證：實(shí)際測試開關(guān)波形（如VGS、VDS、ID），確保無過沖或振蕩。
通過合理設(shè)計(jì)，CMF10N8可顯著提升高功率系統(tǒng)的效率和可靠性。建議結(jié)合具體應(yīng)用場景參考官方數(shù)據(jù)手冊(cè)進(jìn)行詳細(xì)計(jì)算和仿真。
通過以上場景分析，用戶可根據(jù)具體需求（如高頻、大電流、高精度等）選擇該封裝類型場效應(yīng)管，優(yōu)化電路性能并降低成本。
總結(jié)
CMF10N80是一款綜合性能優(yōu)秀的MOSFET,具有高頻性好、熱管理能力優(yōu)秀和性價(jià)比高等優(yōu)勢，如果您正在設(shè)計(jì)類似電路，建議選配一試。
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