CMP110N06L：筑MOS發(fā)展，造行業(yè)典范
CMP110N06L：筑MOS發(fā)展，造行業(yè)典范
半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展始終與人類需求息息相關(guān)。在現(xiàn)代電子市場(chǎng)中，高效率、低損耗的電子元器件需求不斷增加，為提高能源利用率和實(shí)現(xiàn)綠色發(fā)展大計(jì)，半導(dǎo)體行業(yè)勢(shì)必會(huì)朝著“低壓電、大電流”方向發(fā)展。
“大電流”的概念并不是絕對(duì)的，在不同的應(yīng)用領(lǐng)域，其外延和內(nèi)涵不盡相同。在電源領(lǐng)域，如低壓開(kāi)關(guān)電源、小功率逆變器應(yīng)用；在小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，如新型電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、傳統(tǒng)汽車啟動(dòng)系統(tǒng)核心部件都是由蓄電池提供低壓大電流；在LED燈控制方面，同樣有出色的表現(xiàn)，多路并聯(lián)完成大功率輸出。隨著綠色能源和智能設(shè)備的普及，在這些應(yīng)用電子電路中選擇一款合適的MOSFET器件變得尤為重要。
CMP110N06L MOSFET是廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（下文稱Cmos）在此背景下推出的一款具有較高性價(jià)比的產(chǎn)品。該產(chǎn)品已在LED燈控，逆變產(chǎn)品，UPS電源，驅(qū)動(dòng)控制類等方面得到廣泛應(yīng)用，依靠其卓越的電氣特性，得到廣大消費(fèi)者的認(rèn)可。
封裝形式
CMP110N06L MOSFET封裝形式及內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：
Cmos考慮到用戶使用場(chǎng)景的需要，CMP110N06L MOSFET提供TO-220和TO-263兩種不同的封裝形式可供用戶選擇，以便更好匹配用戶的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。
卓越的電氣特性
漏源電壓：
漏源極電壓是指DS之間所能施加的最大電壓。CMP110N06L MOSFET工作時(shí)漏極和源極之間最大電壓VDS=60V，作為工程師都曉得60V電壓是低壓領(lǐng)域的黃金段位，涉及很多產(chǎn)品，如大部分電機(jī)應(yīng)用，燈控應(yīng)用，充放電設(shè)備等很多產(chǎn)品都可以使用。
漏源電流：
漏源電流是指MOS管工作時(shí)的漏極和源極之間可持續(xù)流過(guò)的最大電流。CMP110N06LMOSFET，在TC=25℃條件下，DS之間的電流為110A，這使得該型號(hào)可滿足絕大多數(shù)大電流應(yīng)用場(chǎng)景，尤其應(yīng)用在在感性負(fù)載端效果會(huì)更好。
閾值電壓：
VGS是MOS管柵/源極的開(kāi)啟電壓。CMP110N06L的開(kāi)啟電壓VGS=2.2V,這個(gè)電壓相對(duì)較低，使該MOS管在應(yīng)用場(chǎng)景中的驅(qū)動(dòng)方案變的尤為簡(jiǎn)單，使PCB空間占比相對(duì)更小，更容易將控制電路集成小型化。
優(yōu)秀的散熱能力
CMP110N06L 采用的TO-220和263封裝形式背部均有較大散熱片，其中，結(jié)殼熱阻值RθJC只有0.96℃/W，使CMP110N06L在較高頻率條件下能夠更好地散熱，有效降低MOS管溫升的同時(shí)，保障了其運(yùn)行的穩(wěn)定性。
時(shí)間在變，選擇不變。廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司是集研、工、貿(mào)于一體，擁有一支近20年開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)，我們匠心打造高品質(zhì)半導(dǎo)體，致力于成為中國(guó)乃至世界最有影響力的半導(dǎo)體制造供應(yīng)商。
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