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這種存儲(chǔ)，有望成為DRAM的替代者？
這種存儲(chǔ)，有望成為DRAM的替代者？
來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察
重要的是，硅上的UltraRAM可能是一種通用內(nèi)存類(lèi)型，有朝一日將滿(mǎn)足PC和設(shè)備的所有內(nèi)存需求（RAM和存儲(chǔ)）。然而，我們已經(jīng)看到一些類(lèi)似的被預(yù)示的想法被擱置了。電阻式RAM、磁阻式RAM和相變存儲(chǔ)器并沒(méi)有產(chǎn)生一些初步報(bào)告所預(yù)見(jiàn)的影響。此外，我們已經(jīng)看到英特爾的Optane內(nèi)存技術(shù)填補(bǔ)了DRAM和存儲(chǔ)之間的空白，但并未完全彌合鴻溝。英特爾去年這個(gè)時(shí)候推出了用于臺(tái)式電腦的Optane解決方案。
UltraRAM背后的基礎(chǔ)科學(xué)在于它利用了化合物半導(dǎo)體的獨(dú)特特性，這通常用于光子器件，例如LED、激光器和紅外探測(cè)器，現(xiàn)在可以在硅上批量生產(chǎn)。研究人員聲稱(chēng)，最新的硅化身優(yōu)于在砷化鎵半導(dǎo)體硅片上測(cè)試的技術(shù)。
UltraRAM的一些推斷數(shù)字是，它將提供“至少1,000年的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間”，其快速切換速度和編程擦除循環(huán)耐久性“比閃存好一百到一千倍”。將這些品質(zhì)添加到類(lèi)似DRAM的速度、能源效率和耐用性上，這種新穎的內(nèi)存類(lèi)型聽(tīng)起來(lái)很難讓科技公司忽視。
如果您在上面幾行之間閱讀，您會(huì)發(fā)現(xiàn)UltraRAM旨在打破RAM和存儲(chǔ)之間的鴻溝。因此，理論上，您可以將其用作一次性解決方案來(lái)滿(mǎn)足這些當(dāng)前單獨(dú)的需求。在PC系統(tǒng)中，這意味著您將獲得一大塊UltraRAM，例如2TB，這將滿(mǎn)足您的RAM和存儲(chǔ)需求。
這種轉(zhuǎn)變，如果它發(fā)揮其潛力，將是推動(dòng)流行的內(nèi)存處理趨勢(shì)的好方法。畢竟，你的存儲(chǔ)就是你的記憶——有了UltraRAM；它是相同的晶圓。當(dāng)一個(gè)用例取得成功時(shí)，看到UltraRAM部署擴(kuò)展到從服務(wù)器到PC，再到智能設(shè)備、控制臺(tái)等，也就不足為奇了。新的內(nèi)存技術(shù)是否足夠快，可以將專(zhuān)業(yè)的快速內(nèi)存類(lèi)型排除在外，比如當(dāng)代GDDR和HBM技術(shù)，還有待觀(guān)察。
UltraRAM定價(jià)可能是另一個(gè)棘手的問(wèn)題。如果它沒(méi)有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，那么它的潛在采用率和變革能力就會(huì)受到阻礙。這一經(jīng)濟(jì)因素還有待觀(guān)察，但研究人員對(duì)UltraRAM的硅量產(chǎn)突破感到高興，使其易于使用。
蘭開(kāi)斯特大學(xué)的研究人員表示，正在進(jìn)行進(jìn)一步的工作以提高質(zhì)量、微調(diào)制造工藝以及實(shí)施和擴(kuò)展UltraRAM設(shè)備。
